發(fā)布時(shí)間： 2024-11-11 點(diǎn)擊次數(shù)： 339次
汽車芯片高溫測(cè)試通常需要遵循一些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，其中AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)是較為廣泛接受和應(yīng)用的一個(gè)。
汽車芯片高溫測(cè)試方法：
1.高溫操作壽命(HTOL)測(cè)試:
-目的：評(píng)估汽車芯片在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)的可靠性和耐久性。
-測(cè)試條件：一般在125°C或更高溫度下運(yùn)行幾百到幾千小時(shí)，具體時(shí)間取決于產(chǎn)品規(guī)范。
-過(guò)程：芯片在高溫環(huán)境中持續(xù)工作，同時(shí)監(jiān)測(cè)其電氣性能的變化，以確保在整個(gè)測(cè)試期間芯片功能正常。
-結(jié)果評(píng)估：通過(guò)對(duì)比測(cè)試前后的性能數(shù)據(jù)，確定高溫對(duì)芯片的影響。如果性能顯著退化或出現(xiàn)故障，則判定測(cè)試不通過(guò)。
2.溫度循環(huán)測(cè)試:
-目的：模擬汽車芯片在實(shí)際使用中可能遇到的溫度變化，評(píng)估其在快速溫度變化下的熱脹冷縮行為及其對(duì)性能的影響。
-測(cè)試條件：通常在-40°C到125°C之間進(jìn)行多次循環(huán)，每個(gè)溫度點(diǎn)停留一段時(shí)間，循環(huán)次數(shù)根據(jù)規(guī)范要求而定。
-過(guò)程：芯片在不同溫度之間反復(fù)循環(huán)，監(jiān)測(cè)其性能變化，確保在特殊溫度條件下仍能正常工作。
-結(jié)果評(píng)估：檢查芯片在溫度變化后的性能是否穩(wěn)定，是否有任何物理?yè)p壞或性能下降。
3.高低溫存儲(chǔ)測(cè)試:
-目的：評(píng)估芯片在特殊溫度下存儲(chǔ)一段時(shí)間后的可靠性。
-測(cè)試條件：通常在-40°C和150°C之間進(jìn)行測(cè)試，每個(gè)溫度點(diǎn)存儲(chǔ)一定時(shí)間，如85°C/1000小時(shí)或150°C/1000小時(shí)。
-過(guò)程：芯片在高溫或低溫條件下存儲(chǔ)一段時(shí)間后，恢復(fù)到室溫進(jìn)行電性能測(cè)試，確保其性能未發(fā)生顯著變化。
-結(jié)果評(píng)估：通過(guò)對(duì)比存儲(chǔ)前后的電性能數(shù)據(jù)，判斷芯片是否能承受特殊溫度環(huán)境。
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